IPP037N06L3GXKSA1

IPP037N06L3GXKSA1图片1
IPP037N06L3GXKSA1图片2
IPP037N06L3GXKSA1图片3
IPP037N06L3GXKSA1图片4
IPP037N06L3GXKSA1图片5
IPP037N06L3GXKSA1图片6
IPP037N06L3GXKSA1图片7
IPP037N06L3GXKSA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3


立创商城:
N沟道 60V 90A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.003 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 / N-Channel 60 V 90A Tc 167W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP037N06L3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 167 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 78 ns

输入电容Ciss 10000pF @30VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPP037N06L3GXKSA1
型号: IPP037N06L3GXKSA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
替代型号IPP037N06L3GXKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPP037N06L3GXKSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPI037N06L3G

英飞凌

完全替代

IPP037N06L3GXKSA1和IPI037N06L3G的区别

IPP037N06L3G

英飞凌

类似代替

IPP037N06L3GXKSA1和IPP037N06L3G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台