Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
立创商城:
N沟道 60V 90A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.003 ohm, 10 V, 1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 / N-Channel 60 V 90A Tc 167W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 167 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 167 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 10000pF @30VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 15.95 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPP037N06L3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI037N06L3G 英飞凌 | 完全替代 | IPP037N06L3GXKSA1和IPI037N06L3G的区别 |
IPP037N06L3G 英飞凌 | 类似代替 | IPP037N06L3GXKSA1和IPP037N06L3G的区别 |