IPD60R520C6BTMA1

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IPD60R520C6BTMA1概述

DPAK N-CH 600V 8.1A

表面贴装型 N 通道 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin2+Tab TO-252


IPD60R520C6BTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 8.1A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 512pF @100VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R520C6BTMA1
型号: IPD60R520C6BTMA1
描述:DPAK N-CH 600V 8.1A
替代型号IPD60R520C6BTMA1
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