INFINEON IPD90P03P4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4L04ATMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
P沟道 30V 90A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 / P-Channel 30 V 90A Tc 137W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 137 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 137W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 车用, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Bridge configuration could be realized with 30V P-Channel as high side device with no , High-Side MOSFETs for moto, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD90P03P404ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD90P03P4L04ATMA1和IPD90P03P404ATMA1的区别 |