IPD90P03P4L04ATMA1

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IPD90P03P4L04ATMA1概述

INFINEON  IPD90P03P4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4L04ATMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
P沟道 30V 90A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 / P-Channel 30 V 90A Tc 137W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11


IPD90P03P4L04ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 137 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 11300pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 137W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 车用, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Bridge configuration could be realized with 30V P-Channel as high side device with no , High-Side MOSFETs for moto, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPD90P03P4L04ATMA1
型号: IPD90P03P4L04ATMA1
描述:INFINEON  IPD90P03P4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V
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