Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP147N12N3GXKSA1, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP147N12N3GXKSA1, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 120 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 41 A, 120 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3 / N-Channel 120 V 56A Ta 107W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 107 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0126 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 56A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 2420pF @60VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC