IGB10N60TATMA1

INFINEON  IGB10N60TATMA1  单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

得捷:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3

欧时:
Infineon IGB10N60TATMA1 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK TO-263封装

贸泽:
IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop; Tech

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# INFINEON  IGB10N60TATMA1  IGBT Single Transistor, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 Pins

Win Source:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3