IPD90R1K2C3BTMA1

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IPD90R1K2C3BTMA1概述

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD90R1K2C3BTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.94 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPD90R1K2C3BTMA1
型号: IPD90R1K2C3BTMA1
描述:Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
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