Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定功率 83 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.94 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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