Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
额定功率 63 W
极性 N-Channel
耗散功率 63W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 440pF @100VVds
额定功率Max 63 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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