IPD65R600E6BTMA1

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IPD65R600E6BTMA1概述

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3


IPD65R600E6BTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

极性 N-Channel

耗散功率 63W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

额定功率Max 63 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD65R600E6BTMA1
型号: IPD65R600E6BTMA1
描述:Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
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