IKU06N60RBKMA1

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IKU06N60RBKMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW 3Pin3+Tab TO-251

IGBT Trench 600V 12A 100W Through Hole PG-TO251-3


得捷:
IGBT 600V 12A 100W TO251-3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-251


Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-251


Win Source:
IGBT 600V 12A 100W TO251-3


IKU06N60RBKMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 68 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKU06N60RBKMA1
型号: IKU06N60RBKMA1
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW 3Pin3+Tab TO-251

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