IPB60R600C6ATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB60R600C6ATMA1概述

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab TO-263

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB60R600C6ATMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 63 W

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB60R600C6ATMA1

型号： IPB60R600C6ATMA1

描述：Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

替代型号IPB60R600C6ATMA1