N沟道 30V 24A
**N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
立创商城:
N沟道 30V 24A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC Tube
Allied Electronics:
MOSFET, N Ch. 30V, 24A, 2.8 MOHM, 44 NCQG, SO-8, Pb-Free
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC Tube
漏源极电阻 3.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF8788
输入电容 5720pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
输入电容Ciss 5720pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF8788PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
BSO033N03MS G 英飞凌 | 功能相似 | IRF8788PBF和BSO033N03MS G的区别 |