IRF8788PBF

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IRF8788PBF概述

N沟道 30V 24A

**N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO


立创商城:
N沟道 30V 24A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC Tube


Allied Electronics:
MOSFET, N Ch. 30V, 24A, 2.8 MOHM, 44 NCQG, SO-8, Pb-Free


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC Tube


IRF8788PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF8788

输入电容 5720pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

输入电容Ciss 5720pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRF8788PBF
型号: IRF8788PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:N沟道 30V 24A
替代型号IRF8788PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF8788PBF

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

BSO033N03MS G

英飞凌

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IRF8788PBF和BSO033N03MS G的区别

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