MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using "s proprietary planar DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is well suited for high efficiency switching DC-to-DC converters, switch mode power supplies, DC-to-AC converters for uninterrupted power supply.
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- Logic-level gate drive
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- Improved dV/dt capability
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- 100% Avalanche tested
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- Fast switching
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- 40nC Typical low gate charge
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- 95pF Typical low Crss
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1705pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRL640A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQP19N20L 飞兆/仙童 | 类似代替 | IRL640A和FQP19N20L的区别 |
IRL640PBF 威世 | 功能相似 | IRL640A和IRL640PBF的区别 |