Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
欧时:
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
立创商城:
N沟道 250V 17A
贸泽:
MOSFET N-Ch 250V 17A D2PAK-2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 250 V, 0.085 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin TO-263 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 N-CH
耗散功率 107 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 3.7 ns
输入电容Ciss 1133pF @25VVds
下降时间 1.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Piezo Injection, Hybrid inverter
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅