INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
立创商城:
N沟道 800V 5.7A
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800MinV 5.7A 3-Pin TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 MOSFET, N-CH, 800V, 5.7A, TO-252-3 New
额定功率 83 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 5.7A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 785pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD80R1K0CEATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD80R1K0CEBTMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD80R1K0CEATMA1和IPD80R1K0CEBTMA1的区别 |