先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Advanced Power MOSFET
FEATURES
♦Logic-Level Gate Drive
♦Avalanche Rugged Technology
♦Rugged Gate Oxide Technology
♦Lower Input Capacitance
♦Improved Gate Charge
♦Extended Safe Operating Area
♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V
♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.
贸泽:
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
额定电压DC 200 V
额定电流 9.80 A
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.80 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1705pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLS640A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFI640GPBF 威世 | 功能相似 | IRLS640A和IRFI640GPBF的区别 |