N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
IRLR3110 - 12V-300V N-CHANNEL PO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
通道数 1
漏源极电阻 16 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
产品系列 IRLR3110Z
阈值电压 2.5 V
输入电容 3980pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 3980pF @25VVds
额定功率Max 140 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLR3110ZTRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
PSMN025-100D,118 恩智浦 | 功能相似 | IRLR3110ZTRPBF和PSMN025-100D,118的区别 |