INFINEON IPP90R1K2C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON IPP90R1K2C3XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 83 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.94 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.1A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 消费电子产品, 工业, Lighting, Communications & Networking, Industrial, Power Management, 通信与网络, 照明, Consumer Electronics, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP90R1K2C3XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP90R1K2C3XKSA2 英飞凌 | 类似代替 | IPP90R1K2C3XKSA1和IPP90R1K2C3XKSA2的区别 |