MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V
**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
额定电压DC 75.0 V
额定电流 82.0 A
通道数 1
漏源极电阻 13 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
产品系列 IRF2807S
输入电容 3820pF @25V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 82.0 A
上升时间 64.0 ns
输入电容Ciss 3820pF @25VVds
额定功率Max 230 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 10.67 mm
宽度 6.22 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF2807SPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STB140NF75T4 意法半导体 | 功能相似 | IRF2807SPBF和STB140NF75T4的区别 |
STB60NF06LT4 意法半导体 | 功能相似 | IRF2807SPBF和STB60NF06LT4的区别 |