N沟道 200V 3.3A
N-Channel 200V 3.3A Tc 3.1W Ta, 33W Tc Through Hole I2PAK TO-262
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MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
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MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
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Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
额定电压DC 200 V
额定电流 3.30 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 33W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLI610ATU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQI4N20TU 飞兆/仙童 | 类似代替 | IRLI610ATU和FQI4N20TU的区别 |
FQI4N20 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRLI610ATU和FQI4N20的区别 |