N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10V
**Digital Audio MOSFET, Infineon**
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 58Milliohms; ID 18A; TO-220AB; PD 60W; gFS 11S
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 100 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 72.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
产品系列 IRFB4212
阈值电压 5 V
输入电容 550pF @50V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 28.0 ns
输入电容Ciss 550pF @50VVds
额定功率Max 60 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFB4212PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STP30NF10 意法半导体 | 功能相似 | IRFB4212PBF和STP30NF10的区别 |
STP24NF10 意法半导体 | 功能相似 | IRFB4212PBF和STP24NF10的区别 |
STP35NF10 意法半导体 | 功能相似 | IRFB4212PBF和STP35NF10的区别 |