Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 31W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP / N-Channel 900 V 5.1A Tc 31W Tc Through Hole PG-TO220-FP
额定功率 31 W
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free