IKP10N60TXKSA1

INFINEON  IKP10N60TXKSA1  单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

欧时:
Infineon IKP10N60TXKSA1 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

得捷:
IGBT 600V 20A 110W TO220-3

e络盟:
单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Newark:
# INFINEON  IKP10N60TXKSA1  IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pins