Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（无铅）
超低 Rdson
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 3400pF @25VVds
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP80N06S207AKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP80N06S207AKSA4 英飞凌 | 功能相似 | IPP80N06S207AKSA1和IPP80N06S207AKSA4的区别 |