MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.008Ω; ID 64A; TO-220 Full-Pak; PD 63W; -55de
**N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
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Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
额定电压DC 55.0 V
额定电流 64.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 63 W
产品系列 IRFI3205
阈值电压 4 V
输入电容 4000pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 64.0 A
上升时间 100 ns
隔离电压 2 kV
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
额定功率Max 63 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.75 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFI3205PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
FDPF39N20 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRFI3205PBF和FDPF39N20的区别 |
FDPF20N50 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRFI3205PBF和FDPF20N50的区别 |