IPA083N10N5XKSA1

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IPA083N10N5XKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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Optimized for synchronous rectification
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Ideal for high switching frequency
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Output capacitance reduction of up to 44% 
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R DSon reduction of up to 43% from previous generation

Benefits:

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Highest system efficiency
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Reduced switching and conduction losses
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Less paralleling required
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Increased power density
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Low voltage overshoot

Target Applications:

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Telecom
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Server
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Solar
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Low voltage drives
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Light electric vehicles
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Adapter
IPA083N10N5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 36 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0072 Ω

极性 N-CH

耗散功率 36 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 44A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2730pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.85 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPA083N10N5XKSA1
型号: IPA083N10N5XKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V

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