Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
得捷:
IPP50R190 - 500V, 0.19OHM, N-CHA
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 18.5A 3-Pin TO-220 Tube
Chip1Stop:
A 500V COOLMOS CE POWER TRANSISTOR
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON IPP50R190CEXKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
Win Source:
IPP50R190 - 500V, 0.19OHM, N-CHA / N-Channel 500 V 18.5A Tc 127W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定功率 127 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 18.5A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 1137pF @100VVds
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 127 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Lighting, 照明, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99