MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 21Milliohms; ID 36A; TO-220AB; PD 92W; gFS 36V
Power MOSFET, Pulsed Drain Current 92 A, Input Capacitance 1770 pF
* Advanced process technology
* Ultra low on-resistance
* 175 °C operating temperature
* Fast switching
* Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
* Lead-free
Specifically designed for automotive applications, this HEXFET® power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 °C junction operating temperature
额定电压DC 100 V
额定电流 36.0 A
正向电压 1.30 V
漏源极电阻 26.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 92 W
产品系列 IRF540Z
输入电容 1770pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 51.0 ns
热阻 1.64℃/W RθJC
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
额定功率Max 92 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF540ZPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
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