IXTY12N06T

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IXTY12N06T概述

DPAK N-CH 60V 12A

N-Channel 60V 12A Tc 33W Tc Surface Mount TO-252


得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A TO252


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252


IXTY12N06T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 33W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 256pF @25VVds

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY12N06T
型号: IXTY12N06T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:DPAK N-CH 60V 12A
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