N沟道,30V,24A,40mΩ@10V
**N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 30.0 V
额定电流 24.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
产品系列 IRL2703
阈值电压 1 V
输入电容 450pF @25V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 450pF @25VVds
额定功率Max 45 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.24 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRL2703PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STP40NF03L 意法半导体 | 功能相似 | IRL2703PBF和STP40NF03L的区别 |
IRFZ14PBF 威世 | 功能相似 | IRL2703PBF和IRFZ14PBF的区别 |
STP62NS04Z 意法半导体 | 功能相似 | IRL2703PBF和STP62NS04Z的区别 |