ICTE8C-E3/54参数规格_中文资料_数据手册PDF

ICTE8C-E3/54概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V Bidirect

11.6V Clamp 100A Ipp Tvs Diode Through Hole 1.5KE

得捷:
TVS DIODE 8V 11.6V 1.5KE

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V Bidirect

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5KW 2-Pin Case 1.5KE T/R

Verical:
Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5KW 2-Pin Case 1.5KE T/R

ICTE8C-E3/54中文资料参数规格

技术参数

工作电压 8 V

击穿电压 9.4 V

钳位电压 11.6 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AA

外形尺寸

长度 9.5 mm

高度 5.3 mm

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ICTE8C-E3/54

型号： ICTE8C-E3/54

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V Bidirect

替代型号ICTE8C-E3/54

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
ICTE8C-E3/54 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
1N6382-E3/54 威世	完全替代	ICTE8C-E3/54和1N6382-E3/54的区别
ICTE8C-E3/51 威世	完全替代	ICTE8C-E3/54和ICTE8C-E3/51的区别
1N6382HE3_A/C 威世	完全替代	ICTE8C-E3/54和1N6382HE3_A/C的区别