Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P404AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P404AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin3+Tab TO-220
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 / P-Channel 40 V 120A Tc 136W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
极性 P-CH
耗散功率 136 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 14790pF @25VVds
下降时间 52 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99