Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin2+Tab D2PAK Tube
**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET, N Ch., 30V, 105A, 6 MOHM, 23 NCQG, D2-PAK, Pb-Free
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
额定电压DC 30.0 V
额定电流 105 A
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRL8113S
输入电容 2840pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 105 A
上升时间 38.0 ns
输入电容Ciss 2840pF @15VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.703 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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