200V,9.3A,N沟道功率MOSFET
N-Channel 200V 9.3A Tc 82W Tc Surface Mount D2PAK
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HEXFET POWER MOSFET
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N沟道 200V 9.3A
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
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200V,9.3A,N沟道功率MOSFET
额定电压DC 200 V
额定电流 9.30 A
通道数 1
漏源极电阻 300 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 82 W
产品系列 IRF630NS
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 9.30 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 575pF @25VVds
额定功率Max 82 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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