INFINEON IPB60R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
立创商城:
N沟道 600V 10.6A
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R380C6ATMA1, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab TO-263
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IPB60R380C6ATMA1 Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 83 W
针脚数 2
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 700pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17