IPD50R399CPBTMA1概述
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R399CPBTMA1, 9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
LOW POWER_LEGACY
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R399CPBTMA1, 9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3
Verical:
IPD50R399CPBTMA1
IPD50R399CPBTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 890pF @100VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.223 mm
高度 2.413 mm
封装 DPAK-252
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD50R399CPBTMA1
型号： IPD50R399CPBTMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R399CPBTMA1, 9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装