ICTE8C-E3/73

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ICTE8C-E3/73概述

Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

11.6V Clamp 100A Ipp Tvs Diode Through Hole 1.5KE


得捷:
TVS DIODE 8V 11.6V 1.5KE


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5KW 2-Pin Case 1.5KE Ammo


ICTE8C-E3/73中文资料参数规格
技术参数

工作电压 8 V

击穿电压 9.4 V

钳位电压 11.6 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-201AA

外形尺寸

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ICTE8C-E3/73
型号: ICTE8C-E3/73
描述:Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo
替代型号ICTE8C-E3/73
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ICTE8C-E3/73

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

1N6382HE3_A/D

威世

完全替代

ICTE8C-E3/73和1N6382HE3_A/D的区别

ICTE8CHE3_A/D

威世

完全替代

ICTE8C-E3/73和ICTE8CHE3_A/D的区别

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