IPD50R399CPATMA1概述
DPAK N-CH 500V 9A
表面贴装型 N 通道 500 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-313
得捷:
LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 9A 3-Pin TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3
Win Source:
LOW POWER_LEGACY
IPD50R399CPATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83000 mW
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 890pF @100VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPD50R399CPATMA1