IPI072N10N3GXKSA1概述
TO-262 N-CH 100V 80A
通孔 N 通道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
IPI072N10N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 4910pF @50VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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