晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
额定功率 167 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0027 Ω
极性 N-CH
耗散功率 167 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 6240pF @40VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅