IPD90N10S4L06ATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.6 V
Summary of Features:
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- N-channel - Enhancement mode
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- AEC qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green Product RoHS compliant
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- 100% Avalanche tested
Benefits:
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- highest current capability 180A
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- low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
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- robust packages with superior quality and reliability
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- optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD90N10S4L06ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-CH
耗散功率 136 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 6250pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
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