Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020N04NGATMA1, 140 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020N04NGATMA1, 140 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
立创商城:
N沟道 40V 140A
得捷:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
安富利:
MV POWER MOS
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
额定功率 167 W
漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-CH
耗散功率 167 W
阈值电压 10 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 140A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 7300pF @20VVds
下降时间 7.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17