IPP90R800C3XKSA1概述
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R800C3XKSA1, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R800C3XKSA1, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
IPP90R800C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 104 W
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 6.90 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPP90R800C3XKSA1
型号： IPP90R800C3XKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R800C3XKSA1, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装