ICTE10C-E3/51

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ICTE10C-E3/51中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 11.7 V

耗散功率 1.5 kW

钳位电压 14.5 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 11.7 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AA

外形尺寸

长度 9.5 mm

高度 5.3 mm

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Bulk

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买ICTE10C-E3/51
型号: ICTE10C-E3/51
描述:Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk
替代型号ICTE10C-E3/51
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ICTE10C-E3/51

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

1N6383-E3/54

威世

完全替代

ICTE10C-E3/51和1N6383-E3/54的区别

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ICTE10C-E3/73

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