IPI50R399CPXKSA1概述
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R399CPXKSA1, 9 A, Vds=560 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 560V 9A I2PAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO262-3
IPI50R399CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 890pF @100VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买IPI50R399CPXKSA1
型号： IPI50R399CPXKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能