IPA65R380E6XKSA1

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IPA65R380E6XKSA1概述

INFINEON  IPA65R380E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP


立创商城:
N沟道 650V 10.6A


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R380E6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IPA65R380E6XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP / N-Channel 650 V 10.6A Tc 31W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA65R380E6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 31 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPA65R380E6XKSA1
型号: IPA65R380E6XKSA1
描述:INFINEON  IPA65R380E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

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