INFINEON IPA65R380E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
立创商城:
N沟道 650V 10.6A
欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R380E6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# INFINEON IPA65R380E6XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP / N-Channel 650 V 10.6A Tc 31W Tc Through Hole PG-TO220-FP
额定功率 31 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17