INFINEON IDD03SG60CXTMA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252
thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，
Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
降低的 EMI
正向电压 2.3 V
耗散功率 38 W
正向电流 3 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 11.5 A
正向电压Max 2.3 V
正向电流Max 3 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 38000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 计算机和计算机周边, 替代能源, 通信与网络, Computers & Computer Peripherals, 照明, Lighting, Communications & Networking, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IDD03SG60CXTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDD03SG60C 英飞凌 | 类似代替 | IDD03SG60CXTMA1和IDD03SG60C的区别 |