IPI80N08S406AKSA1

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IPI80N08S406AKSA1概述

N沟道 80V 80A

N-Channel 80V 80A Tc 150W Tc Through Hole PG-TO262-3-1


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N沟道 80V 80A


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MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3


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IPI80N08S406AKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 4800pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPI80N08S406AKSA1
型号: IPI80N08S406AKSA1
描述:N沟道 80V 80A

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