Infineon OptiMOS 3 系列 N沟道 MOSFET IPP600N25N3GXKSA1, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP600N25N3GXKSA1, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin3+Tab TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON IPP600N25N3GXKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 136 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1770pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 工业, 照明, Audio, Isolated DC-DC converters, Class D audio amplifiers, Industrial, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17