OptiMOSâ ?? ¢ 3功率三极管 OptiMOSâ¢3 Power-Transistor
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
立创商城:
N沟道 60V 120A
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI032N06N3GAKSA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IPI032N06N3GAKSA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 188000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin3+Tab TO-262
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO262-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 / N-Channel 60 V 120A Tc 188W Tc Through Hole PG-TO262-3
额定功率 188 W
极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 10000pF @30VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.36 mm
宽度 4.572 mm
高度 11.177 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPI032N06N3GAKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI032N06N3 G 英飞凌 | 类似代替 | IPI032N06N3GAKSA1和IPI032N06N3 G的区别 |