55V,75A,6.5mΩ,N沟道功率MOSFET
Power MOSFET, Pulsed Drain Current 440 A, Input Capacitance 3450 pF
* Advanced process technology
* Ultra low on-resistance
* 150 °C operating temperature
* Fast switching
* Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
* Lead-free
Specifically designed for automotive applications, this HEXFET® power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 °C junction operating temperature
额定电压DC 55.0 V
额定电流 110 A
漏源极电阻 6.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
产品系列 IRF3205Z
输入电容 3450pF @25V
栅电荷 110 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 95.0 ns
输入电容Ciss 3450pF @25VVds
额定功率Max 170 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF3205ZPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STP80NF55-06 意法半导体 | 功能相似 | IRF3205ZPBF和STP80NF55-06的区别 |
STP80NF55L-06 意法半导体 | 功能相似 | IRF3205ZPBF和STP80NF55L-06的区别 |
STP80NF55-08 意法半导体 | 功能相似 | IRF3205ZPBF和STP80NF55-08的区别 |