N沟道,55V,104A,80mΩ@10V
**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 55.0 V
额定电流 104 A
通道数 1
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRL2505
输入电容 5000pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 104 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
高度 15.24 mm
封装 TO-220-3
工作温度 55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRL2505PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STP80NF55L-06 意法半导体 | 功能相似 | IRL2505PBF和STP80NF55L-06的区别 |
STP80NF55-08 意法半导体 | 功能相似 | IRL2505PBF和STP80NF55-08的区别 |
STP140NF55 意法半导体 | 功能相似 | IRL2505PBF和STP140NF55的区别 |